Seramîkên karbîda silîkonê xwedî berxwedana germahiya bilind, berxwedana oksîdasyonê ya germahiya bilind, berxwedana lixwekirinê ya baş, aramiya germî ya baş, katsayiya berfirehbûna germî ya piçûk, rêberiya germî ya bilind, hişkbûna bilind, berxwedana şoka germî, berxwedana korozyona kîmyewî û taybetmendiyên din ên hêja ne. Ew bi berfirehî di warên otomobîl, mekanîzasyon, parastina jîngehê, teknolojiya fezayî, elektronîka agahdariyê, enerjî û yên din de hatiye bikar anîn, û di gelek warên pîşesaziyê de bûye seramîkek avahîsaziyê ya bênavber ku xwedî performansek hêja ye. Niha bila ez nîşanî we bidim!
Sînterkirina bê zext
Sînterkirina bê zext wekî rêbaza herî sozdar ji bo sinterkirina SiC tê hesibandin. Li gorî mekanîzmayên sinterkirinê yên cûda, sinterkirina bê zext dikare were dabeş kirin bo sinterkirina qonaxa hişk û sinterkirina qonaxa şil. Bi rêya β-ya pir zirav, mîqdarek guncaw ji B û C (naveroka oksîjenê ji %2 kêmtir) di heman demê de li toza SiC hat zêdekirin, û s. proehazka li ser laşê sinterkirî yê SiC bi dendika ji %98 zêdetir di 2020 ℃ de hat sinterkirin. A. Mulla û yên din. Al2O3 û Y2O3 wekî lêzêde hatin bikar anîn û di 1850-1950 ℃ de ji bo 0.5 μ m β-SiC (rûyê perçeyan mîqdarek piçûk ji SiO2 dihewîne) hatin sinterkirin. Dendika nisbî ya seramîkên SiC yên bidestxistî ji %95 dendika teorîk mezintir e, û mezinahiya danan piçûk e û mezinahiya navînî ye. Ew 1.5 mîkron e.
Sinterkirina bi makîneya germ
SiC-ya paqij tenê dikare bi awayekî kompakt di germahiyek pir bilind de bêyî ti lêzêdekirina sinterkirinê were sinterkirin, ji ber vê yekê gelek kes pêvajoya sinterkirina bi presa germ ji bo SiC-ê pêk tînin. Gelek rapor li ser sinterkirina bi presa germ a SiC-ê bi zêdekirina alîkarên sinterkirinê hene. Alliegro û hevkarên wî bandora boron, aluminium, nîkel, hesin, krom û lêzêdekirina din a metalî li ser dendikkirina SiC-ê lêkolîn kirin. Encam nîşan didin ku aluminium û hesin lêzêdekirinên herî bibandor in ji bo pêşvebirina sinterkirina bi presa germ a SiC-ê. FFlange bandora zêdekirina mîqdarên cûda yên Al2O3-ê li ser taybetmendiyên SiC-ya bi presa germ lêkolîn kir. Tê texmîn kirin ku dendikkirina SiC-ya bi presa germ bi mekanîzmaya çareserî û barînê ve girêdayî ye. Lêbelê, pêvajoya sinterkirina bi presa germ tenê dikare perçeyên SiC-ê yên bi şeklek hêsan hilberîne. Mîqdara hilberên ku ji hêla pêvajoya sinterkirina bi presa germ a yek-carî ve têne hilberandin pir piçûk e, ku ji bo hilberîna pîşesaziyê ne guncaw e.
Sinterkirina pêvekirî ya îzostatîk a germ
Ji bo derbaskirina kêmasiyên pêvajoya sinterkirina kevneşopî, tîpa B û tîpa C wekî lêzêdeker hatin bikar anîn û teknolojiya sinterkirina pêçandina îzostatîk a germ hate pejirandin. Di 1900°C de, seramîkên krîstalî yên nazik ên bi dendika ji 98 mezintir hatin bidestxistin, û hêza xwarbûnê di germahiya odeyê de dikare bigihîje 600 MPa. Her çend sinterkirina pêçandina îzostatîk a germ dikare hilberên qonaxa tîr bi şeklên tevlihev û taybetmendiyên mekanîkî yên baş hilberîne jî, divê sinterkirin were mohrkirin, ku pêkanîna hilberîna pîşesaziyê dijwar e.
Sinterkirina reaksiyonê
Karbîda silîkonê ya bi reaksiyonê sinterkirî, ku wekî karbîda silîkonê ya xwe-girêdayî jî tê zanîn, behsa pêvajoya ku tê de bîleta poroz bi qonaxa gaz an şil re reaksiyon dike da ku kalîteya bîletê baştir bike, porozîteyê kêm bike, û hilberên qedandî bi hêz û rastbûna pîvanî ya diyarkirî sinter bike. Toza α-SiC û grafît bi rêjeyek diyarkirî têne tevlihev kirin û heya dora 1650 ℃ têne germ kirin da ku bîletek çargoşe çêbibe. Di heman demê de, ew bi riya Si-ya gazê derbas dibe an jî dikeve nav bîletê û bi grafîtê re reaksiyon dike da ku β-SiC çêbike, ku bi perçeyên α-SiC yên heyî re têkel dibe. Dema ku Si bi tevahî tê înfîltrekirin, laşê sinterkirî yê reaksiyonê bi dendika tevahî û mezinahiya ne-çûkbûnê dikare were bidestxistin. Li gorî pêvajoyên din ên sinterkirinê, guherîna mezinahiya sinterkirina reaksiyonê di pêvajoya densitasyonê de piçûk e, û hilberên bi mezinahiya rast dikarin werin amadekirin. Lêbelê, hebûna mîqdarek mezin a SiC di laşê sinterkirî de taybetmendiyên germahiya bilind ên seramîkên SiC yên sinterkirî yên reaksiyonê xirabtir dike.
Dema weşandinê: Hezîran-08-2022